瑞萨电子推出首款低压氮化镓功率半导体
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瑞萨电子推出首款低压氮化镓功率半导体
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AI 综述
瑞萨电子推出其首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品，包含 RTP100E005G1FL 等 100V 增强型分立功率晶体管型号，主要面向 AI 数据中心与人形机器人等领域。 该系列产品提供标准 MOSFET 兼容封装，客户无需大幅重新设计 PCB 即可迁移。其硬开关和软开关品质因数（FOM）较同类 GaN 器件最高降低 35% 和 63%，开关损耗较硅基设计降低 40% 至 70%。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域报道时间线
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10月6日
- IT之家瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
瑞萨电子推出首款 100V 增强型 GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL 等型号，面向 AI 数据中心与人形机器人等领域。其硬开关和软开关 FOM 较同类 GaN 器件最高降低 35% 和 63%，开关损耗相比硅基设计降低 40% 至 70%。产品提供标准 MOSFET 兼容封装，使客户无需大幅重新设计 PCB 即可快速迁移。
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