瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域

瑞萨电子推出首款 100V 增强型 GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL 等型号，面向 AI 数据中心与人形机器人等领域。其硬开关和软开关 FOM 较同类 GaN 器件最高降低 35% 和 63%，开关损耗相比硅基设计降低 40% 至 70%。产品提供标准 MOSFET 兼容封装，使客户无需大幅重新设计 PCB 即可快速迁移。